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onsemi NTH4LN067N65S3H
| Artikelnummer: | NTH4LN067N65S3H |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $9.55 |
| 10+ | $8.63 |
| 100+ | $7.1446 |
| 500+ | $6.2214 |
| 1000+ | $5.4186 |
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- Verpackung
-
onsemi NTH4LN067N65S3H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTH4LN067N65S3H.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 3.9mA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-247-4 Serie SuperFET® III Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 266W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-4 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) -
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